三菱電機將建設新的晶圓廠以促進SiC功率半導體業務

通過Shin凱

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三菱電機株式會社該公司宣布,將在截至2026年3月的五年時間裏,將之前宣布的投資計劃翻一番,達到約2600億日元,主要用於建設一個新的晶圓廠,以增加矽的產量新晶圓廠碳化矽功率半導體。根據該計劃,三菱電機預計將應對電動汽車對SiC功率半導體快速增長的需求,並擴大新應用市場,例如低能量損失、高溫操作或高速開關。該計劃還將使三菱電機能夠為全球節能和脫碳的綠色轉型趨勢做出貢獻。

增加的投資約1000億日元,其中很大一部分將用於建設新的8英寸SiC晶圓廠,並加強相關生產設施。新工廠將在熊本縣石井地區擁有一個自有設施,將生產大直徑8英寸SiC晶圓,並引入一個具有最先進能源效率和高自動化生產效率的潔淨室。此外,該公司還將加強其6英寸SiC晶圓的生產設施,以滿足該領域不斷增長的需求。

此外,三菱電機還將在新工廠投資約100億日元,該工廠將整合目前分散在福岡地區的現有業務,用於功率半導體的組裝和檢測。設計、開發、生產工藝驗證一體化,將大大增強公司的開發能力,便於及時量產應對市場需求。剩下的200億日元全部是新投資,將用於設備改進、環境安排和相關運營。

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